Résumé:
L’objectif de cette thèse est d’étudier les phases formées lors de la réaction à l’état solide entre un film de Ni et un
substrat semi-conducteur de type III-V, par diffusion réactive. A terme, il s’agit de comprendre et prédire les phénomènes mis
en jeu dans le contact Ni/In0.53Ga0.47As. En effet, ce dernier présente un intérêt technologique pour la nanoélectronique car
In0,53Ga0,47As peut se substituer avantageusement au Si. Pour cela, nous avons étudié la nature et la séquence des phases
formées pour les deux systèmes Ni/GaAs et Ni/InAs où Ni est déposé par pulvérisation cathodique. Les phases Ni3GaAs et
Ni3InAs sont les premières phases formées, elles sont en épitaxie avec le substrat et ont la même structure hexagonale. Les
résultats obtenus montrent que la couche de Ni est en épitaxie avec le substrat GaAs pour de faibles épaisseurs déposées ce
qui diffère des plus grandes épaisseurs. Par ailleurs la texture de la phase de Ni3GaAs est différente de la phase Ni3InAs. A
haute température (au-delà de 400°C), nous observons pour les deux systèmes la présence des nouvelles phases. Celles-ci
sont de structures hexagonale et cubique pour le système Ni/InAs. Nous avons pu aussi observer dans ce travail la cinétique
de formation de ces phases Ni3GaAs et Ni3InAs en film mince et conclure que la cinétique de formation de la phase Ni3InAs
est plus lente que celle de la phase Ni3GaAs.
